改良性，內(nèi)置3端口。
電源規(guī)格：DC24V。
輸入點(diǎn)數(shù)：18點(diǎn)。
輸出點(diǎn)數(shù)：12點(diǎn)。
輸出型：晶體管(源型)。
程序容量：8K步。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量：8K字。
加強(qiáng)了實(shí)現(xiàn)低成本的CP1E模擬量控制、溫度控制應(yīng)用適用性C200H-MAD01手冊(cè)。
突破性的價(jià)格。
恰到好處的易用性。
適用于多種裝置的應(yīng)用適用性。
在低成本的基礎(chǔ)上，加強(qiáng)了實(shí)現(xiàn)模擬量控制、溫度控制的擴(kuò)展性C200H-MAD01
模擬輸入輸出單元C200H-MAD01手冊(cè)。
1個(gè)單元的模擬輸入輸出多8點(diǎn)/高分辨率1/12000。
溫度傳感器單元。
熱電偶/模擬輸入多重輸入、1個(gè)單元的熱電偶輸入為多12點(diǎn)。輸出點(diǎn)數(shù)：16點(diǎn)。
開關(guān)容量：AC250V，0.5 A以下。
所需字?jǐn)?shù)：1字。
將單元安裝到CPU裝置時(shí)，多可控制960點(diǎn)。
CS1提高空間效率。只需將10個(gè)基本I/O單元(各96個(gè)I/O點(diǎn))安裝到CPU裝置，
即可控制多達(dá)960個(gè)I/O點(diǎn)C200H-MAD01手冊(cè)。或者，通過按住五個(gè)模擬量輸入單元和五個(gè)模擬量輸出單元，
也可控制多達(dá)80個(gè)模擬量I/O點(diǎn)。
提高了數(shù)據(jù)鏈接、遠(yuǎn)程I/O通信和協(xié)議宏的刷新性能。
以前，僅在執(zhí)行指令后的I/O刷新期間，CPU總線單元才會(huì)發(fā)生I/O刷新C200H-MAD01(CJ2替換C200H)。
但是，借助新CS1，通過使用DLNK指令，可立即刷新I/O。
立即刷新特定于CPU總線單元的過程意味著可提高CPU總線單元的刷新響應(yīng)性，
如執(zhí)行指令時(shí)用于數(shù)據(jù)鏈接和DeviceNet遠(yuǎn)程I/O通信和分配的CIO區(qū)/DM區(qū)字的過程。e-CON連接器。
32點(diǎn)輸出。
PNP類型。
帶短路和斷線檢測(cè)C200H-MAD01(CJ2替換C200H)。
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)傳感器連接器，
無需特殊工具即可輕松連接帶預(yù)置電纜的傳感器。
帶工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)e-CON連接器的數(shù)字I/O端子。
無需使用特殊工具，安裝簡(jiǎn)便。
減少了配線工作。
配備負(fù)載短路檢測(cè)。內(nèi)存容量：8K字C200H-MAD01(CJ2替換C200H)。
時(shí)鐘功能：無。
因此重要數(shù)據(jù)不會(huì)由于電池用完或編程/操作錯(cuò)誤而丟失。
在需要改變PLC的設(shè)置值來進(jìn)行其它時(shí)，
換一個(gè)內(nèi)存卡并重新啟動(dòng)就可以完成整個(gè)軟件設(shè)置及用戶程序安裝的過程。
用可選的內(nèi)存卡來存儲(chǔ)用戶程序、PLC設(shè)置和以及ROM區(qū)中其它數(shù)據(jù)。內(nèi)置電源（100 to 120/200 to 240 VAC）。
輸出電流：4.6A。
提高可靠性，強(qiáng)化功能走向新一代。C200H-MAD01替換指南手冊(cè)。
由于生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)愈加復(fù)雜化、高速化，用戶的需求亦日趨多樣化。
為此，須提高高C200HG/C200HE/C200HX的基本性能，提高處理速度等C200H-MAD01手冊(cè)。
生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)要求產(chǎn)品上的、高標(biāo)準(zhǔn)，不斷升級(jí)換代！
創(chuàng)對(duì)當(dāng)代制造業(yè)的嚴(yán)格要求激勵(lì)著歐姆龍，
始終以新的產(chǎn)品及科學(xué)觀念投身生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)。