運(yùn)算控制方式：存儲(chǔ)程序反復(fù)運(yùn)算。
內(nèi)置CC-Link IE。
輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
程序容量：40K。
提高恒定周期中斷程序的速度。
執(zhí)行恒定周期中斷程序的小間隔可縮短到50μs，
可編程控制器可切實(shí)讀取更高速的信號(hào)R63P參數(shù)。
此外，還可為中斷程序設(shè)定優(yōu)先度，在中斷處理時(shí)執(zhí)行優(yōu)先度高的中斷程序。
因此，在高速讀取信號(hào)時(shí)，也可通過常規(guī)的輸入模塊+CPU模塊的恒定周期中斷程序讀取信號(hào)R63P
便于處理的軟元件/標(biāo)簽區(qū)域
將擴(kuò)展SRAM卡安裝到可編程控制器CPU模塊上后，
可擴(kuò)展多 5786K 字的軟元件/標(biāo)簽存儲(chǔ)區(qū)域R63P參數(shù)。
擴(kuò)展區(qū)域作為與內(nèi)置CPU模塊的存儲(chǔ)器相連的區(qū)域，
可自由分配軟元件/標(biāo)簽等的范圍。
因此，可輕松進(jìn)行編程，而無需考慮各存儲(chǔ)區(qū)域的邊界。
此外，還可使用SD存儲(chǔ)卡處理記錄的數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)庫(kù)數(shù)據(jù)等大容量數(shù)據(jù)R63P參數(shù)。控制軸數(shù)：2軸。
運(yùn)算周期：0.444ms、0.888ms、1.777ms、3.555ms。
控制単位：mm、inch、degree、pulse。
定位數(shù)據(jù)：600數(shù)據(jù)/軸。
啟動(dòng)時(shí)間（運(yùn)算周期0.444ms、1軸）：0.7ms。
伺服放大器連接方式：SSCNETⅢ/HR63P(選型資料)。
站間距離（大）：100m。
外部配線連接方式：40針連接器。
直線插補(bǔ)：2軸。
圓弧插補(bǔ)：2軸。
通過簡(jiǎn)易編程進(jìn)行運(yùn)動(dòng)控制。
可通過軟件實(shí)現(xiàn)齒輪、軸、變速機(jī)、凸輪的動(dòng)作。
適合銑削加工的螺旋線插補(bǔ)。
常規(guī)啟動(dòng)、高速啟動(dòng)、多軸同時(shí)啟動(dòng)。
的ON/OFF脈沖時(shí)間測(cè)量。
MELSEC iQ-R系列的簡(jiǎn)易運(yùn)動(dòng)模塊、定位模塊、高速計(jì)數(shù)器模塊為智能功能模塊，
可分別通過簡(jiǎn)易編程進(jìn)行高速、的運(yùn)動(dòng)控制、定位控制和位置檢測(cè)R63P(選型資料)。
簡(jiǎn)易運(yùn)動(dòng)模塊具有與定位模塊同樣的操作便捷性，
可像運(yùn)動(dòng)控制器一樣進(jìn)行同步控制、凸輪控制等控制R63P(選型資料)。
可連接到支持伺服系統(tǒng)專用高速同步網(wǎng)絡(luò)SSCNETⅢ/H的伺服放大器上。
定位控制(密封劑/膠粘劑涂敷設(shè)備等）。
同步控制/電子凸輪控制(拾放機(jī)、包裝機(jī)等）。
速度/扭矩控制(沖壓機(jī)、壓鑄成型機(jī)等）。
速度/位置控制切換(生產(chǎn)半導(dǎo)體晶片等）。輸出點(diǎn)數(shù)：64點(diǎn)。
輸出形式：晶體管（源型）輸出。
額定開閉電壓、電流：-。
額定負(fù)載電壓：DC12～24V。
大負(fù)載電流：0.1A/點(diǎn)。
響應(yīng)時(shí)間：1ms以下。
公共端方式：32點(diǎn)/公共端。
保護(hù)功能（過載、過熱）：有。
外部配線連接方式：40針連接器兩個(gè)。
輸出模塊帶機(jī)械式繼電器觸點(diǎn)機(jī)構(gòu)，

包括所用的負(fù)載電壓范圍較大的繼電器輸出型和可用于DC12~24V負(fù)載的晶體管輸出型R63P選型手冊(cè)。

可根據(jù)負(fù)載電壓、輸出點(diǎn)數(shù)的不同，選擇適合用戶需求的模塊R63P參數(shù)。
根據(jù)繼電器觸點(diǎn)壽命進(jìn)行預(yù)防性維護(hù)。
繼電器輸出模塊可累計(jì)各輸出點(diǎn)的ON次數(shù)。
可通過了解該繼電器觸點(diǎn)的開關(guān)次數(shù)，根據(jù)繼電器壽命進(jìn)行預(yù)防性維護(hù)。