運(yùn)算控制方式：存儲(chǔ)程序反復(fù)運(yùn)算。
內(nèi)置CC-Link IE。
輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
程序容量：40K。
提高恒定周期中斷程序的速度。
執(zhí)行恒定周期中斷程序的小間隔可縮短到50μs，
可編程控制器可切實(shí)讀取更高速的信號(hào)RX41C6HS原理及應(yīng)用。
此外，還可為中斷程序設(shè)定優(yōu)先度，在中斷處理時(shí)執(zhí)行優(yōu)先度高的中斷程序。
因此，在高速讀取信號(hào)時(shí)，也可通過常規(guī)的輸入模塊+CPU模塊的恒定周期中斷程序讀取信號(hào)RX41C6HS
便于處理的軟元件/標(biāo)簽區(qū)域
將擴(kuò)展SRAM卡安裝到可編程控制器CPU模塊上后，
可擴(kuò)展多 5786K 字的軟元件/標(biāo)簽存儲(chǔ)區(qū)域RX41C6HS原理及應(yīng)用。
擴(kuò)展區(qū)域作為與內(nèi)置CPU模塊的存儲(chǔ)器相連的區(qū)域，
可自由分配軟元件/標(biāo)簽等的范圍。
因此，可輕松進(jìn)行編程，而無需考慮各存儲(chǔ)區(qū)域的邊界。
此外，還可使用SD存儲(chǔ)卡處理記錄的數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)庫數(shù)據(jù)等大容量數(shù)據(jù)。模擬量輸出通道數(shù)：8CH。
精度
環(huán)境溫度25正負(fù)5°C：正負(fù)0.1% 以內(nèi)。
環(huán)境溫度0～55°C：正負(fù)0.3% 以內(nèi)。
溫度系數(shù)：-。
轉(zhuǎn)換速度：80μs/CH。
通道間緣：-
輸出短路保護(hù)：有。
外部供給電源：DC24。
外部配線連接方式：18點(diǎn)螺釘端子臺(tái)。
電壓輸出
數(shù)字量輸入值：-。
模擬量輸出電壓：-。
電流輸出
數(shù)字量輸入值：0～意波形數(shù)據(jù)注冊(cè)到模塊中，并根據(jù)設(shè)定的轉(zhuǎn)換周期連續(xù)執(zhí)行模擬量輸出的功能RX41C6HS原理及應(yīng)用。
執(zhí)行沖壓機(jī)和注塑成型機(jī)等的模擬量(扭矩)控制時(shí)，可自動(dòng)輸出事先注冊(cè)的控制波形，
通過程序進(jìn)行高速、流暢的控制。此外，僅需事先將波形數(shù)據(jù)注冊(cè)到模塊中，
即可輕松控制模擬量波形，因此在進(jìn)行生產(chǎn)線控制等重復(fù)控制時(shí)，
無需使用專用的程序來創(chuàng)建波形，可減少編程工時(shí)。
模塊間結(jié)合功能。
結(jié)合使用多64臺(tái)的溫度調(diào)節(jié)模塊進(jìn)行溫度控制。可結(jié)合的功能為以下兩點(diǎn)。
模塊間同時(shí)升溫功能。
模塊間峰值電流功能。運(yùn)算控制方式：存儲(chǔ)程序反復(fù)運(yùn)算。
內(nèi)置CC-Link IE。
輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
程序容量：320K。
多1200K步的程序容量。
實(shí)現(xiàn)運(yùn)動(dòng)控制的多CPU系統(tǒng)。
CPU模塊內(nèi)置2個(gè)支持千兆位的網(wǎng)絡(luò)端口。
便于進(jìn)行數(shù)據(jù)管理的數(shù)據(jù)庫功能。
內(nèi)置安全功能的擴(kuò)展SRAM卡。
可進(jìn)行各種運(yùn)動(dòng)控制(位置、速度、扭矩、同步控制等）。
符合國際安全標(biāo)準(zhǔn)（ ISO 13849-1 PL e、 IEC 61508 SIL 3）的安全CPU。
適合從計(jì)算機(jī)/微機(jī)環(huán)境進(jìn)行移植的C/C++語言編程。
標(biāo)配配各種接口RX41C6HS參考手冊(cè)。
可編程控制器CPU模塊已標(biāo)配以太網(wǎng)端口、 USB端口、 SD存存儲(chǔ)卡插槽RX41C6HS參考手冊(cè)。
以太網(wǎng)端口和USB端口可用于與對(duì)應(yīng)外圍設(shè)備之間的通信，
SD存儲(chǔ)卡插槽可用于記錄數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)庫等數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。
此外，還可使用擴(kuò)展SRAM卡，用于軟元件/標(biāo)簽存儲(chǔ)器容量的擴(kuò)展和用作硬件安全密鑰。