擴(kuò)展SRAM卡 2MB
更好的用戶體驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄功能。
記錄方便，無需程序。
只需通過專門的配置工具向?qū)лp松完成設(shè)置，
便可將收集的數(shù)據(jù)以CSV格式保存到SD存儲(chǔ)卡Q02HCPU技術(shù)指標(biāo)。
可有效利用已保存的CSV文件方便地創(chuàng)建各種參考資料，
包括日常報(bào)告、生成報(bào)表及一般報(bào)告。
這些資料可應(yīng)用于啟動(dòng)時(shí)的數(shù)據(jù)分析、追溯等。連接讀寫2chQ02HCPU
ID系統(tǒng)接口模塊。
ID控制器BIS M-688-001/002是可直接安裝到Q系列的基板上，
通過可編程控制器指令讀寫ID標(biāo)簽數(shù)據(jù)的控制模塊Q02HCPU技術(shù)指標(biāo)。
BIS M-688-002的梯形圖與QD35ID1/2兼容。
可連接2個(gè)天線，還可同時(shí)進(jìn)行2通道的并行處理。
可使用BIS M系列的所有ID標(biāo)簽。
巴魯夫ID系統(tǒng)/BIS系列是可利用電磁結(jié)合方式讀寫數(shù)據(jù)的工業(yè)自動(dòng)化ID系統(tǒng)Q02HCPU技術(shù)指標(biāo)。
ID標(biāo)簽具有多種尺寸和存儲(chǔ)容量。輸入電壓范圍：AC200-240V。
輸出電壓：DC5V。
輸出電源：6A。
簡化程序調(diào)試。
可使用帶執(zhí)行條件的軟元件測試功能，在程序上的任意步，
將軟元件值更改為用戶值。
以往在調(diào)試特定回路程序段時(shí)，需要追加設(shè)定軟元件的程序，
而目前通過使用本功能，無需更改程序，即可使特定的回路程序段單獨(dú)執(zhí)行動(dòng)作Q02HCPU(MELSAP-L)。
因此，不需要單獨(dú)為了調(diào)試而更改程序，調(diào)試操作更簡單。
通過軟元件擴(kuò)展，更方便創(chuàng)建程序。
位軟元件的M軟元件和B軟元件多可擴(kuò)展到60K點(diǎn)，使程序更容易理解。
自動(dòng)備份關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
將程序和參數(shù)文件自動(dòng)保存到無需使用備份電池的程序存儲(chǔ)器（Flash ROM）中，
以防因忘記更換電池而導(dǎo)致程序和參數(shù)丟失Q02HCPU(MELSAP-L)。
此外，還可將軟元件數(shù)據(jù)等重要數(shù)據(jù)備份到標(biāo)準(zhǔn)ROM，
以避免在長假期間等計(jì)劃性停機(jī)時(shí)，
這些數(shù)據(jù)因電池電量耗盡而丟失。
下次打開電源時(shí)，備份的數(shù)據(jù)將自動(dòng)恢復(fù)Q02HCPU(MELSAP-L)。主站。
支持AnyWire DB A20系統(tǒng)。
AnyWire DB A20系統(tǒng)采用單獨(dú)的傳輸方式，
實(shí)現(xiàn)高速并且高度可靠的傳感器網(wǎng)絡(luò)。
可選擇50m/200m/1km/3km的傳輸距離。
１個(gè)模塊可進(jìn)行多512點(diǎn)的輸入、512點(diǎn)的輸出（標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置）。
即使分支配線，也能對傳輸線路進(jìn)行脫落檢測。2通道。
輸入：DC4~20mA（連接二線式變送器）；DC0~20mA。
輸出（分辨率）：0~4000。0~12000。
轉(zhuǎn)換速度：10ms/通道。
40針連接器。
通道之間隔離。
向二線式變送器供電。
以智能功能拓展控制的可能性。
通道隔離型模擬量模塊在實(shí)現(xiàn)高隔離電壓的同時(shí)，
進(jìn)一步提高了基準(zhǔn)精度。
為使用通用可編程控制器進(jìn)行過程控制提供支持。
流量計(jì)、壓力表、其它傳感器等可直接連接至模擬量輸入，
控制制閥也可直接連接至模擬量輸出Q02HCPU編程手冊。
由于不需要外部隔離放大器，硬件和安裝成本得以大大幅降低Q02HCPU技術(shù)指標(biāo)。
高緣強(qiáng)度耐壓 。
可隔離電氣干擾，例如電流和噪音等。
標(biāo)準(zhǔn)型模擬量輸入模塊。
隔離型模擬量輸入模塊。
無需外部隔離放大器。
不使用通道間隔離型模擬量模塊時(shí)。
使用了通道間隔離型模擬量模塊時(shí)。